{"id":16326,"date":"2016-11-01T14:12:50","date_gmt":"2016-11-01T19:12:50","guid":{"rendered":"https:\/\/emisora.univalle.edu.co\/?p=16326"},"modified":"2016-11-01T14:12:50","modified_gmt":"2016-11-01T19:12:50","slug":"articulo-egresada-publicado-prestigiosa-revista-cientifica","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/emisora.univalle.edu.co\/index.php\/articulo-egresada-publicado-prestigiosa-revista-cientifica\/","title":{"rendered":"Art\u00edculo de egresada, publicado en prestigiosa revista cient\u00edfica"},"content":{"rendered":"<p>Jackeline Narvaez, egresada del programa acad\u00e9mico de F\u00edsica de la Facultad de Ciencias Naturales y Exactas de la Universidad del Valle, ha publicado el art\u00edculo \u201cEnhanced flexoelectric-like response in oxide semiconductors\u201d en Nature Letters, una de las revistas cient\u00edficas m\u00e1s prestigiosas del mundo.<\/p>\n<p>El art\u00edculo de Narvaez describe c\u00f3mo algunos materiales el\u00e9ctricamente aislantes generan mil veces m\u00e1s electricidad cuando se\u00a0 los dopa para que sean semiconductores. El fundamento de este incremento es que, a pesar de que el interior se convierte en conductor, las superficies se mantienen aislantes. Por lo tanto, las superficies se pueden polarizar como es habitual, pero en este caso las cargas libres (los electrones) del semiconductor contribuyen a que esta polarizaci\u00f3n de la superficie pueda ser a\u00fan mucho mayor. Este trabajo fue realizado en el grupo de \u00d3xidos Nanoelectr\u00f3nicos del Instituto Catal\u00e1n de Nanociencia y Nanotecnolog\u00eda (ICN2), dirigido por el Profesor Gustau Catalan.<\/p>\n<p>Seg\u00fan Jackeline el objetivo principal de este art\u00edculo era eliminar la principal desventaja de la flexoelectricidad con respecto a la piezoelectricidad a nivel macrosc\u00f3pico, la cual consiste en su valor peque\u00f1o. Con semiconductores esta desventaja queda eliminada. Por otro lado, su importancia cient\u00edfica radica en explicar la causa primordial del valor colosal encontrado para la flexoelectricidad de los semiconductores.<\/p>\n<p>Desde el punto de vista de la f\u00edsica fundamental, se considera muy importante el hecho de haber conseguido separar la piezoelectricidad superficial, de la flexoelectricidad procedente del interior del material, que hasta el d\u00eda de hoy se consideraba como la \u00fanica posible de medir. Adem\u00e1s, como los semiconductores son materiales valiosos en la industria electr\u00f3nica, el descubrimiento de nuevas propiedades en ellos, en este caso su capacidad de generar electricidad cuando se los dobla, es inesperado e impactante.<\/p>\n<p>Para la mayor\u00eda de los cient\u00edficos, publicar en Nature constituye una marca de prestigio, ya que estos rechazan aproximadamente el 95% de los art\u00edculos que le son enviados para la revisi\u00f3n por pares. Nature es una de las m\u00e1s prestigiosas revistas cient\u00edficas a nivel mundial. Es le\u00edda por cient\u00edficos e investigadores de todo el mundo, siendo la mayor parte de los art\u00edculos exposiciones de trabajos de investigaci\u00f3n.<\/p>\n<p>Fuente: Agencia de Noticias Univalle<\/p>\n","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Jackeline Narvaez, egresada del programa acad\u00e9mico de F\u00edsica de la Facultad de Ciencias Naturales y Exactas de la Universidad del Valle, ha publicado el art\u00edculo \u201cEnhanced flexoelectric-like response in oxide semiconductors\u201d en Nature Letters, una de las revistas cient\u00edficas m\u00e1s prestigiosas del mundo. 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